所謂活性碳恒溫吸附曲線(adsorptionisotherm)是指定溫下，某氣體之吸附量與壓力(或平衡濃度)達(dá)到平衡時(Ps為吸附物分壓，而P0為在相同溫度下之飽和壓力)，將吸附量對正�；瘔毫/P0之關(guān)係所繪製成之曲線圖。不過等溫線的型式也隨吸附劑性質(zhì)不同而有所差異，許多學(xué)者研究了不同的氣體被活性碳吸附劑吸附后，呈現(xiàn)各種不同型態(tài)之曲線，Brunaur,Deming,Deming和Teller(簡稱BDDT)首先于1940年將其歸類為五種形式，不過無論是哪一種型式，其蒸氣吸附量是隨著蒸氣分壓上升而增加，然后在某一點達(dá)到單層完全吸附之量，再漸漸成為多層覆蓋，終至轉(zhuǎn)變成為凝結(jié)相，之后Gregg更將其細(xì)分為六種形式(圖六)。
TypeⅠ：為Langmuir吸附，具有以微孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生，例如沸石(Zeolite)活性碳等均屬于此類。會產(chǎn)生此種現(xiàn)象乃是由于相對壓力值遠(yuǎn)小于1時，已將所有孔隙填滿，故漸近線代表之值是相對于微孔隙的體積，而不是單層吸附量。一般來說，化學(xué)吸附會產(chǎn)生此類型之等溫吸附曲線。
TypeⅡ：此類通常稱為Sigmoid或S型恒溫吸附曲線，這種型式的恒溫線常發(fā)生在無孔性結(jié)構(gòu)物質(zhì)。在Ps/P0值趨近于1時會產(chǎn)生毛細(xì)及孔隙冷凝(Capillaryandporecondensation)之物理吸附現(xiàn)象。而圖中曲線中之B點則表示單層之完全覆蓋量為多層分子吸附，屬于無孔隙或大于大孔之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅢ：為單層分子吸附尚未完成前，即產(chǎn)生多層分子吸附，此現(xiàn)象是由于吸附質(zhì)間的吸引力，大于對吸附劑之吸引力所致。屬于非多孔性之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅣ：當(dāng)Ps/P0值(0.1至0.3)狠低時(為單層分子吸附)，其圖形即與第二種吸附型式相似。若當(dāng)Ps/P0值升高時，孔洞中就會發(fā)生毛細(xì)管凝結(jié)(Capillarycondensation)情形，使吸附量迅速增高(為多層分子吸附)產(chǎn)生hysteresisloops現(xiàn)象，屬于具有以活性碳中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。
一般工業(yè)上使用之吸附劑，常屬于這種類型的活性碳，其孔洞凝結(jié)曲線可用來分析孔徑分佈。
TypeⅤ：與TypeⅢ相同，但是屬于具有微孔或中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅥ：屬階段式等溫吸附曲線，形成一層層完整的吸附層，通常為非常均相及無孔隙之物質(zhì)所產(chǎn)生。
活性炭吸附是一種極為復(fù)雜的界面化學(xué)現(xiàn)象，與吸附劑表面對吸附質(zhì)之親和力作用有關(guān)。活性碳吸附質(zhì)恒溫吸附曲線可以提供下列重要訊息：
(1)了解吸附質(zhì)之吸附特性。
(2)獲得平衡吸附量，可藉以評估活性炭吸附劑之使用量。
(3)改變吸附質(zhì)濃度獲得相對應(yīng)之吸附量，亦即當(dāng)吸附質(zhì)濃度改變時，其對吸附過程之影響。
此外，活性碳恒溫吸附模式常被用來描述氣體吸附于固體表面之現(xiàn)象。Langmuir于1918年提出一理論描述氣體分子吸附在固體表面之現(xiàn)象，Langmuirisotherm方程式是描述單層吸附(monolayeradsorption)最重要的模式，而該吸附理論目前已成功運用在許多實際的吸附程序中。此方程式適用于較低濃度之溶液，而在溶液濃度較高時則不適用。
Freundlichisotherm方程式係由Freundlich于1907年所提出，他發(fā)現(xiàn)在不同濃度下，單位質(zhì)量吸附劑之吸附量與溶劑濃度之比例并非為一常數(shù)，因此為符合實驗數(shù)據(jù)便提出一經(jīng)驗式，此方程式不遵守Langmuir方程式，適用于高濃度吸附現(xiàn)象之描述，對低濃度則較不符合實際的吸附現(xiàn)象，此與Langmuirisotherm方程式之適用范圍恰好相反。
Brunauer,Emmett和Teller曾于1938年針對氣體的多層吸附開發(fā)出一套新的吸附模式，且該模式已成功應(yīng)用于許多實驗數(shù)據(jù)之描述。BETisotherm方程式與Langmuirisotherm方程式類似，皆假設(shè)吸附劑表面有一般及局部吸附位置，而某一位置之吸附并不影響鄰近位置的吸附效應(yīng)，此外亦假設(shè)吸附熱控制第一層之吸附，被吸附物之凝結(jié)熱則控制其他各層之吸附。
Toth吸附方程式則是Toth于1962年所提出，發(fā)現(xiàn)在均勻的吸附表面時，可由Langmuir方程式來表示，而在非均勻的吸附表面時，可由Freundlich方程式來表示。RedlichandPetersonisotherm方程式則是結(jié)合Freundlichisotherm受低濃度之限制和Langmuirisotherm受高濃度之限制，而提出較合理的經(jīng)驗方程式。茲將上述恒溫吸附模式及相關(guān)系數(shù)整理